М. Н. Левин, А. Е. Бормонтов, А. Э. Ахкубеков, Е. А. Татохин, “Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 21,страницы 61

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS

М. Н. Левин^ab, А. Е. Бормонтов^ab, А. Э. Ахкубеков^ab, Е. А. Татохин^ab

^a Воронежский государственный университет
^b Воронежская государственная технологическая академия

Аннотация: Метод DLTS является одним из основных при определении параметров электрически активных центров локализации заряда в полупроводниках. С целью повышения точности и адекватности получаемых результатов в раборе предложен метод, основанный на применении обратного преобразования Лапласа. Показано, что использование этого метода позволяет определять параметры центров, имеющих близкие значения коэффициентов эмиссии, что невозможно при использовании традиционного метода DLTS.

Поступила в редакцию: 20.05.2010