Эта публикация цитируется в 1 статье

Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As$_2$Se$_3$ с большим содержанием висмута

Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования температурно-частотных зависимостей диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка с добавкой висмута. В инфранизкочастотном диапазоне при повышении температуры обнаружены значительное увеличение вещественной составляющей комплексной диэлектрической проницаемости и появление максимумов диэлектрических потерь, смещающихся с увеличением частоты в сторону более высоких температур.

Поступила в редакцию: 16.06.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:10, 966–968

Реферативные базы данных:

•