Эта публикация цитируется в 1 статье

К вопросу о степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей в полупроводниках приповерхностным варизонным слоем

В. А. Холоднов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Математически корректно рассмотрена модель фотовозбуждения носителей слабым излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках со ступенчатым профилем варизонного поля на варизонно-гомогенной границе. Выведено явное условие обеспечения блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей.

Поступила в редакцию: 19.05.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:10, 929–932

Реферативные базы данных:

•