Аннотация:
Для рассмотрения системы SiC(0001)–H–C(графен) выделяется кластер, содержащий 2 атома графена, 3 атома Si подложки и 2 (или 3) атома H. Расчеты электронной структуры и энергии связей выполнены в рамках метода связывающих орбиталей Харрисона. Анализируются две схемы влияния каналированного водорода на систему. Показано, что одна из схем (A $\to$ B), где участвуют два атома водорода, энергетически невыгодна, тогда как при другой схеме (A $\to$ C), в которую входят три атома водорода, имеем выигрыш в энергии.