RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 18, страницы 55–59 (Mi pjtf9623)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Энергетические характеристики системы SiC(0001)–каналированный водород–графен

С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для рассмотрения системы SiC(0001)–H–C(графен) выделяется кластер, содержащий 2 атома графена, 3 атома Si подложки и 2 (или 3) атома H. Расчеты электронной структуры и энергии связей выполнены в рамках метода связывающих орбиталей Харрисона. Анализируются две схемы влияния каналированного водорода на систему. Показано, что одна из схем (A $\to$ B), где участвуют два атома водорода, энергетически невыгодна, тогда как при другой схеме (A $\to$ C), в которую входят три атома водорода, имеем выигрыш в энергии.

Поступила в редакцию: 20.04.2010


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:9, 856–858

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026