Эта публикация цитируется в 7 статьях

Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si$_{1-x}$Sn$_x$

А. С. Саидов^abc, Ш. Н. Усмонов^abc, М. Каланов^abc, Х. М. Мадаминов<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, Ташкент, Узбекистан
^b Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, г. Ташкент, пос. Улугбек
^c Андижанский государственный университет, Андижан, Узбекистан

Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111) выращивались эпитаксиальные пленки Si$_{1-x}$Sn$_x$ (0 $\le x\le$ 0.04) $n$-типа проводимости. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности $p$Si–$n$Si$_{1-x}$Sn$_x$ (0 $\le x\le$ 0.04) структур при различных температурах. Показано, что эпитаксиальная пленка Si$_{0.96}$Sn$_{0.04}$ имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 60 nm. Наблюдался сдвиг края фоточувствительности структуры $p$Si–$n$Si$_{0.96}$Sn$_{0.04}$ в длинноволновую сторону по сравнению со структурой $p$Si–$n$Si. Обнаружено влияние температуры на фоточувствительность структур $p$Si–$n$Si$_{0.96}$Sn$_{0.04}$ в примесной области поглощения.

Поступила в редакцию: 11.03.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:9, 827–829

Реферативные базы данных:

•