Эта публикация цитируется в 1 статье

Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта $\langle$Mn$\rangle$-слоем в GaAs барьере

М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, М. М. Прокофьева, А. Е. Шолина

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотолюминесценции гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовой ямой и близкорасположенным акцепторным дельта $\langle$Mn$\rangle$-легированным слоем в GaAs барьере. Обнаружено повышение температурной стабильности и снижение температурного гашения в исследованных структурах по сравнению с контрольными структурами, не содержащими дельта-слоя. Повышение рабочей температуры объясняется появлением дополнительного потенциального барьера для электронов вследствие введения дельта-легированного акцепторного слоя в приповерхностный барьер.

Поступила в редакцию: 25.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:9, 819–822

Реферативные базы данных:

•