RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 16, страницы 11–18 (Mi pjtf9590)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление кремния, легированного по методу “низкотемпературной диффузии”

М. К. Бахадырханов, К. С. Aюпов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, О. Э. Саттаров

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Аннотация: Экспериментально показано, что в компенсированном кремнии, легированном марганцем с помощью “низкотемпературной диффузии”, наблюдается высокотемпературное, аномально большое ОМС. Установлено, что в таком материале можно менять величину ОМС, изменяя температуру, освещение, электрическое и магнитное поля.

Поступила в редакцию: 22.03.2010


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:8, 741–744

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026