Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов

М. Н. Левин, Е. В. Бондаренко, А. Е. Бормонтов, А. В. Татаринцев, В. Р. Гитлин

Воронежский государственный университет

Аннотация: Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временны́х зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию.

Поступила в редакцию: 26.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:8, 703–705

Реферативные базы данных:

•