Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изучение дефектной структуры эпитаксиальных слоев GaN на основе анализа пиков трехволновой дифракции рентгеновских лучей

Р. Н. Кютт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены измерения многоволновой дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных пленках GaN с разной плотностью дислокаций. Использовалась схема Реннингера с первичным запрещенным отражением 0001. Проанализирована угловая ширина трехволновых дифракционных пиков как в направлении $\varphi$-сканирования (вращение вокруг нормали к поверхности), так и $\theta$-моды сканирования (вращение около брэгговского угла). Обнаружено расщепление трехволновых пиков Реннингера, обусловленное крупноблочной структурой слоев. Показана высокая чувствительность полуширины пиков $\theta$-моды для некоторых трехволновых комбинаций к плотности дислокаций.

Поступила в редакцию: 25.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:8, 690–693

Реферативные базы данных:

•