RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 13, страницы 54–60 (Mi pjtf9551)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Экспериментальное исследование воздействия протонов на приборы с зарядовой связью

К. Н. Ермаковab, Н. А. Ивановab, О. В. Лобановab, В. В. Пашукab, М. Г. Тверскойab, С. М. Любинскийab

a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина
b Научно-исследовательский институт телевидения, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на датчики изображения на основе приборов с зарядовой связью (CCD-матриц), которые в составе различной аппаратуры широко используются на космических летательных аппаратах. Цель – изучить влияние на параметры CCD-матриц локальных структурных повреждений кристаллической решетки отдельными ядерными частицами. Представлены зависимости темнового тока CCD-матриц от флюенса протонов в диапазоне до 2 $\cdot$ 10$^{11}$ cm$^{-2}$.


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:7, 610–612

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026