А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, А. С. Зубрилов, Е. В. Богданова, С. П. Лебедев, Н. В. Середова, А. С. Трегубова, “О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 12,страницы 71

О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC

А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, А. С. Зубрилов, Е. В. Богданова, С. П. Лебедев, Н. В. Середова, А. С. Трегубова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых ($>$ 100 $\mu$m), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.

Поступила в редакцию: 25.02.2010