Аннотация:
Показано, что на начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на сапфире на поверхности подложки образуется массив островков кремния. При низких температурах подложки (меньше 650$^\circ$C) островки имеют пирамидальную форму. При температурах подложки выше 650$^\circ$C форма островков – куполообразная. С повышением температуры роста латеральный размер кластеров кремния увеличивается, а их плотность уменьшается. Макимальная плотность островков составила 2 $\cdot$ 10$^{11}$ cm$^{-2}$, латеральный размер не превышает 20 nm, а высота – 3 nm.
Полный текст:
PDF файл (569 kB)
