Аннотация:
Исследована возможность радиационного усиления фотопроводимости $\sigma_{ph}$ кристаллического ZnSe. По оптической плотности кристалла ZnSe : O на уровне $E_g$ = 2.58 eV определена концентрация электронов $N_{E_g}$ = 1.26 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$. Облучение $^{60}$Co гамма-квантами 10$^6$ Gy в ZnSe : O привело к созданию пяти резонансных уровней: $\Gamma_{6v}$ – 5.76 eV, $L_{1.3v}$ – 4.85 eV, Zn$_i$ – 3.34 eV, O$_{\mathrm{Se}}$ – 3.13 eV и $X$ – 2.72 eV, снижению $N_{E_g}$ = 0.63 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$ и 2-кратному росту $\sigma_{ph}$. Примесь Te до 0.2 wt.% тоже создает уровень $L_{1,3v}$ и увеличивает $N_{E_g}$ = 2.02 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$ и $\sigma_{ph}$ = 2.01 $\cdot$ 10$^{-10}$$\Omega^{-1}$. Облучение тоже привело к формированию в допированных кристаллах дополнительного резонансного уровня Zn$_i$ – 3.34 eV и к 2-кратному росту $\sigma_{ph}$. При содержании Te до 0.5 wt.% также формируется Zn$_i$, но с большей энергией 3.39 eV, что обусловливает рост $\sigma_{ph}$ = 7.6 $\cdot$ 10$^{-9}$$\Omega^{-1}$. Однако после облучения этот центр разрушается и фотопроводимость снижается.
Полный текст:
PDF файл (189 kB)
