Эта публикация цитируется в 12 статьях

Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем

А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла обнаружены и исследованы в структуре GaAs с одиночным дельта-легированным слоем марганца (содержание марганца 0.18 ML) при температурах ниже $\approx$ 20 K. Структуры были изготовлены комбинированным методом MОС-гидридной эпитаксии и лазерного нанесения. Характер магнитополевой зависимости холловского сопротивления указывает на наличие кубической плоскостной магнитной анизотропии.

Поступила в редакцию: 20.01.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:6, 511–513

Реферативные базы данных:

•