Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок $n$-3C-SiC

А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, Е. В. Богданова, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, А. С. Трегубова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа $n$-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.

Поступила в редакцию: 02.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:6, 504–506

Реферативные базы данных:

•