Эта публикация цитируется в 10 статьях

Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии

В. Н. Бессолов^ab, Ю. В. Жиляев^ab, Е. В. Коненкова^ab, Л. М. Сорокин^ab, Н. А. Феоктистов^ab, Ш. Шарофидинов^ab, М. П. Щеглов^ab, С. А. Кукушкин^ab, Л. И. Метс^ab, А. В. Осипов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной $\sim$0.1–10 $\mu$m на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm).
Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков.
Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) $\omega_\theta$ = 2100 arcsec.

Поступила в редакцию: 28.01.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:6, 496–499

Реферативные базы данных:

•