Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых $p$–$n$-структур

И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск

Аннотация: Поведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда $\tau$, обратного тока $I_R$ и прямой ВАХ в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной $d$ от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0.5–3.8 g/cm$^2$). В том случае, когда $d$ = 14 mm (3.8 g/cm$^2$), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение $I_R$ и ВАХ по сравнению с экранами $d$ = 2–12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины $\tau$: от 20 до 1.5 $\mu$s.

Поступила в редакцию: 14.09.2009
Исправленный вариант: 21.01.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:5, 464–467

Реферативные базы данных:

•