Эта публикация цитируется в 6 статьях

Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ при изохронных печных и импульсных отжигах

Д. В. Марин^ab, В. А. Володин^ab, Е. Б. Горохов^ab, Д. В. Щеглов^ab, А. В. Латышев^ab, M. Vergnat^c, J. Koch^c, B. N. Chichkov<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Laboratoire de Physique des Matériaux (LPM), Nancy-Université, CNRS, Boulevard des Aiguillettes B.P. 239, 54506 Vandoeuvre lés Nancy, France Laser Zentrum Hannover, Hollerithallee 8, 30419 Hannover, Germany

Аннотация: Изучалось формирование и модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ под воздействием импульсных и изохронных печных отжигов. Импульсные отжиги проводились титан-сапфировым лазером с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса порядка 30 fs и KrF эксимерным лазером с длиной волны излучения 248 nm и длительностью импульса 25 ns. Импульсные отжиги стимулировали как кристаллизацию исходных аморфных нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$, так и формирование новых нанокластеров. Для предотвращения испарения пленок при воздействии лазерного излучения на них наносился защитный слой SiN$_x$O$_y$. Апробированный подход может быть использован для модификации размера и фазового состава нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$.

Поступила в редакцию: 14.12.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:5, 439–442

Реферативные базы данных:

•