Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии

М. Д. Вилисова^a, В. П. Гермогенов^a, О. Ж. Казтаев^a, В. А. Новиков^a, И. В. Пономарев^a, А. Н. Титков<sup>b

a</sup> ГОУ ВПО Томский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования с помощью метода Кельвин-зонд-микроскопии распределения электрического поля в детекторных $p^+$–$\pi$–$n$–$n^+$-структурах на основе GaAs. Установлено наличие двух максимумов в распределении напряженности электрического поля в объеме активного слоя структур в области $p^+$–$\pi$- и $\pi$–$n$-переходов. Падение напряжения на $\pi$–$n$-переходе расширяет область собирания неравновесных дырок в детекторах, что увеличивает эффективность сбора заряда при поглощении гамма-квантов с энергией 59.5 keV.

Поступила в редакцию: 13.11.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:5, 436–438

Реферативные базы данных:

•