И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, Е. В. Куницына, В. В. Дюделев, И. М. Гаджиев, А. Г. Дерягин, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, М. П. Михайлова, Н. Д. Ильинская, В. И. Кучинский, Ю. П. Яковлев, “Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 9,страницы 43

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m

И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, Е. В. Куницына, В. В. Дюделев, И. М. Гаджиев, А. Г. Дерягин, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, М. П. Михайлова, Н. Д. Ильинская, В. И. Кучинский, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Созданы и исследованы неохлаждаемые быстродействующие GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb $p$–$i$–$n$-фотодиоды с длинноволновой границей спектральной чувствительности $\lambda$ = 2.4 $\mu$m. Низкий уровень легирования активного слоя 10$^{14}$–10$^{15}$ cm$^{-3}$) позволяет добиться низкой емкости фотодиода (менее 1 pF при диаметре чувствительной площади 100 $\mu$m) и получить рекордное быстродействие (на уровне 100–150 ps). Полоса пропускания фотодиодов достигает значения 2 GHz. Созданные фотодиоды характеризуются малой величиной обратного темнового тока (500–1000 nA, при обратном смещении 1–3 V) и обнаружительной способностью, достигающей 9 $\cdot$ 10$^{10}$ cm $\cdot$ Hz$^{1/2}$ $\cdot$ W$^{-1}$ в спектральном диапазоне максимальной чувствительности 1.9–2.2 $\mu$m.

Поступила в редакцию: 11.01.2010