Эта публикация цитируется в 7 статьях

Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники

Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, С. М. Сутурин, В. В. Федоров, Н. С. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки CaF$_2$ (2–7 монослоев) приборного качества на Si (111). Вольт-амперные характеристики структур металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) с такими пленками хорошо соответствовали теоретическим результатам, полученным при корректном учете сохранения поперечного волнового вектора туннелирующих частиц. Согласно расчетам, туннельные токи в структурах с CaF$_2$ ниже, чем в случае оксидов, используемых в полевых транзисторах.

Поступила в редакцию: 30.12.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:5, 404–407

Реферативные базы данных:

•