Эта публикация цитируется в 5 статьях

Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника

Ю. В. Жиляев, С. Н. Родин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом хлоридной газофазной эпитаксии получены слои нитрида галлия на подложке сапфира при температуре источника Ga от 890 до 600$^\circ$C. Все слои прозрачные, имеют гладкую морфологию поверхности. Структурное качество оценивалось по измерению полуширины кривой качания отражения в случае трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, которая для лучших образцов составляет 8 arcmin. Данные по зависимости фотолюминесцентных свойств и кристаллического совершенства GaN от температуры галлиевого источника продемонстрировали, что снижение температуры источника вплоть до 600$^\circ$C не влияет существенным образом на процесс роста нитрида галлия, несмотря на существенное изменение состава газовой фазы – соотношения GaCl и GaCl$_3$.

Поступила в редакцию: 14.10.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:5, 397–399

Реферативные базы данных:

•