К. В. Маремьянин, Д. М. Ермолаев, Д. В. Фатеев, С. В. Морозов, Н. А. Малеев, В. Е. Земляков, В. И. Гавриленко, В. В. Попов, С. Ю. Шаповал, “Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 8,страницы 39

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади

К. В. Маремьянин^a, Д. М. Ермолаев^b, Д. В. Фатеев^c, С. В. Морозов^b, Н. А. Малеев^d, В. Е. Земляков^b, В. И. Гавриленко^a, В. В. Попов^c, С. Ю. Шаповал^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл.
^c Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерен терагерцовый фотоотклик тразисторной структуры с узкощелевым решеточным затвором большой площади. Пики фотоотклика индентифицированы с возбуждением плазмонных резонансов в структуре. За счет более эффективного возбуждения плазмонных резонансов в узкощелевой структуре величина фотоотклика возрастает на порядок величины.

Поступила в редакцию: 15.11.2009