Д. В. Куликов, Ю. В. Трушин, В. С. Харламов, “Влияние энергии ионов азота на рост тонких пленок GaN при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 6,страницы 30

Влияние энергии ионов азота на рост тонких пленок GaN при молекулярно-пучковой эпитаксии

Д. В. Куликов^ab, Ю. В. Трушин^ab, В. С. Харламов^ab

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом балансных кинетических уравнений исследовалось влияние энергии облучения ионами азота на эпитаксиальный рост тонких пленок GaN. Рассчитана зависимость скорости роста пленок от энергии ионов. Объяснено изменение структуры пленки при разных энергиях облучения. Получено удовлетворительное согласие теоретических оценок с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 24.11.2009