Эта публикация цитируется в 10 статьях

К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала

К. С. Ладутенко, А. В. Анкудинов, В. П. Евтихиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования области основного падения потенциала в резком GaAs $p^+$–$n^+$-переходе методами обычной и градиентной сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии. Показаны преимущества градиентного метода при проведении количественных измерений. Предложен алгоритм программной реализации градиентного метода измерений на серийно выпускаемых атомно-силовых микроскопах. Обнаружен вклад слоя адсорбированной воды в ширину области основного падения измеряемого потенциала.

Поступила в редакцию: 19.10.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:3, 228–231

Реферативные базы данных:

•