Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации

С. А. Ахлестина^ab, В. К. Васильев^ab, О. В. Вихрова^ab, Ю. А. Данилов^ab, Б. Н. Звонков^ab, С. М. Некоркин<sup>ab

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины $\approx$1.3 $\mu$m). Использование дозы ионов 6 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ и отжига при 700$^\circ$C позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8–10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем.

Поступила в редакцию: 21.09.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:2, 189–191

Реферативные базы данных:

•