RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 4, страницы 23–31 (Mi pjtf9424)

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Эффект усиления эмиссии при генерации низкоэнергетического субмиллисекундного электронного пучка в диоде с сеточным плазменным катодом и открытой границей анодной плазмы

С. В. Григорьев, В. Н. Девятков, Н. Н. Коваль, А. Д. Тересов

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Представлены результаты исследования эффекта усиления эмиссии электронов в плазмонаполненном диоде на основе плазменного катода с сеточной стабилизацией границы плазмы при ускоряющем напряжении до 20 kV. Суть явления состоит в том, что при увеличении рабочего давления $\ge$ 10$^{-2}$ Pa и продольного магнитного поля $\ge$ 20 mT происходит существенное (в некоторых случаях в 2 и более раз) увеличение тока в ускоряющем промежутке. Экспериментально показано, что наиболее вероятным механизмом, ответственным за данное явление, является вторичная ионно-электронная эмиссия, возникающая с поверхности эмиссионного электрода, в результате ее бомбардировки ионами, поступающими из плазмы, генерируемой электронным пучком в пространстве дрейфа, и ускоренными в слое пространственного заряда между поверхностью эмиссионного электрода и открытой границей пучковой (анодной) плазмы.

Поступила в редакцию: 25.06.2009


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:2, 158–161

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026