Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектрально-чувствительные МОП-фотоварикапы на основе кристаллов CdZnTe и CdS

Ю. А. Загоруйко, В. А. Христьян, П. В. Матейченко

Институт монокристаллов НТК "Институт монокристаллов" НАНУ, Харьков, Украина

Аннотация: МОП-гетероструктуры на основе кристаллических подложек из CdS и CdZnTe получены методом фототермического окисления образцов в кислородсодержащей атмосфере. При этом были определены режимы проведения фотоокислительных отжигов подложек из CdS, обеспечивающие получение пленок CdO с различными электрическими характеристиками. Установлено, что полученные МОП-структуры имеют высокий коэффициент перекрытия емкости по свету. Впервые определены спектральные зависимости изменения емкости таких МОП-фотоварикапов. Показана возможность значительного изменения максимума спектральной чувствительности емкости фотоварикапов путем легирования исходного полупроводникового кристалла электрически активными примесями.

Поступила в редакцию: 22.06.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:2, 153–155

Реферативные базы данных:

•