Е. О. Филатова, К. М. Лысенков, А. А. Соколов, А. А. Овчинников, Д. Е. Марченко, В. М. Кашкаров, И. В. Назариков, “Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si(100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 3,страницы 53

Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si(100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами

Е. О. Филатова^abc, К. М. Лысенков^abc, А. А. Соколов^abc, А. А. Овчинников^abc, Д. Е. Марченко^abc, В. М. Кашкаров^abc, И. В. Назариков^abc

^a Санкт-Петербургский государственный университет
^b BESSY II, Helmholtz-Zentrum Berlin, 12489 Berlin, Germany
^c Воронежский государственный университет

Аннотация: Исследовался пористый кремний (por-Si), полученный электрохимическим травлением монокристаллического Si (100) в водном растворе фторида аммония с добавлением изопропилового спирта. Исследование проводилось методами рентгеновской спектроскопии отражения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта. Установлено, что por-Si, полученный по нетрадиционной методике (без использования плавиковой кислоты), является частично аморфизированным и имеет на поверхности стабильный во времени окисел, не превышающий по толщине 5 nm.

Поступила в редакцию: 14.07.2009