И. Г. Атабаев, Н. А. Матчанов, М. У. Хажиев, Ш. А. Юсупова, “Выращивание монокристаллов твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_x$(0 $<x<$ 0.35) и исследование их свойств”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 3,страницы 45

Эта публикация цитируется в 1 статье

Выращивание монокристаллов твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_x$(0 $<x<$ 0.35) и исследование их свойств

И. Г. Атабаев^abc, Н. А. Матчанов^abc, М. У. Хажиев^abc, Ш. А. Юсупова^abc

^a Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, Ташкент, Узбекистан
^b Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, USA
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si$_{1-x}$Ge$_x$ диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at.%, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si$_{1-x}$Ge$_x$ в зависимости от содержания Ge.

Поступила в редакцию: 21.09.2009