Л. И. Горай, Н. И. Чхало, Ю. А. Вайнер, “Обнаружение квазипериодических граней $\{11n\}$, $n$ = 7–11 в образцах с Ge/Si квантовыми точками с помощью рентгеновской рефлектометрии скользящего падения”, Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 3,страницы 31

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Обнаружение квазипериодических граней $\{11n\}$, $n$ = 7–11 в образцах с Ge/Si квантовыми точками с помощью рентгеновской рефлектометрии скользящего падения

Л. И. Горай^abc, Н. И. Чхало^abc, Ю. А. Вайнер^abc

^a Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
^b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: С помощью высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии скользящего падения получены экспериментальные и теоретические данные интенсивности зеркального и диффузного отражения самоорганизующихся структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с однослойными незарощенными и многослойными зарощенными Ge/Si квантовыми точками (КТ). Из положения пиков диффузного рассеяния в прямом пространстве с помощью методики, ранее примененной для исследования In(Ga)As/GaAs KT, были измерены с точностью $\pm$ 0.1$^\circ$ углы наклона квазипериодических граней. Обнаруженные в образцах с неупорядоченными Ge/Si KT грани $\{11n\}$, $n$ = 7–11, характерные для ямок роста упорядоченных КТ, свидетельствуют об общности моделей образования КТ.

Поступила в редакцию: 08.05.2009