Аннотация:
Предложен новый подход к решению проблемы эффективной и быстрой характеризации слитков SiC, который может быть использован для экспресс-диагностики их качества в условиях массового производства. Методика позволяет выявлять такие дефекты, как включения других политипов, молоугловые границы зерен, дисклокационные микротрубки и неоднородность в распределении примесей, и может использоваться для оптимизации технологических режимов выращивания объемных монокристаллов SiC.