Эта публикация цитируется в 7 статьях

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)

А. С. Головин, А. П. Астахова, С. С. Кижаев, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4.1–4.3 $\mu$m. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов – с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 $\mu$W при токе 200 mA, в импульсном режиме – 0.6 mW при токе 2 A.

Поступила в редакцию: 23.07.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:1, 47–49

Реферативные базы данных:

•