RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2010, том 36, выпуск 1, страницы 59–68 (Mi pjtf9386)

Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик–полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn

Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев

Ульяновский государственный университет

Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик–люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов, $\sim$2.5 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$, энергетической плотности указанных ПС – 2 $\cdot$ 10$^{14}$–10$^{15}$ cm$^{-2}$ $\cdot$eV$^{-1}$. Оценены значения равновесного уровня Ферми – 1.25 eV ниже дна зоны проводимости и значения квазиравновесного уровня Ферми в процессе работы ТП ЭЛИ 0.6–1.25 eV.

Поступила в редакцию: 02.09.2009


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2010, 36:1, 26–30

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026