Эта публикация цитируется в 6 статьях

Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией

А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, Е. И. Малышева

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Сформирована и исследована pin-диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnAs в качестве полупроводника $p$-типа проводимости. Показано, что внешнее магнитное поле приводит к уменьшению (на $\approx$5% в магнитном поле 3600 Oe при 10 К) сопротивления слоя GaMnAs. В режиме источника напряжения изменение сопротивления приводит к увеличению интенсивности электролюминесценции светоизлучающего диода. Указанный эффект обусловлен ферромагнетизмом в GaMnAs и спадает до нуля при температуре, превышающей температуру Кюри ферромагнитного слоя.

Поступила в редакцию: 14.07.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:12, 1168–1171

Реферативные базы данных:

•