А. Г. Гладышев, М. М. Кулагина, С. А. Блохин, А. А. Красивичев, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 24,страницы 9

Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs

А. Г. Гладышев^ab, М. М. Кулагина^ab, С. А. Блохин^ab, А. А. Красивичев^ab, Л. Я. Карачинский^ab, А. П. Васильев^ab, Н. А. Малеев^ab, В. М. Устинов^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Разработана базовая технология формирования субмикронного поверхностного рельефа в эпитаксиальных структурах GaAs, основанная на электронно-лучевой литографии. Высокая чувствительность характеристик вертикально-излучающего лазера к уровню оптических потерь позволяет использовать данную технологию для контроля модового состава и стабилизации поляризации излучения.

Поступила в редакцию: 24.06.2011