Получение покрытия на основе высокоэнтропийного карбида в плазме дугового разряда

Д. С. Никитин^a, И. И. Шаненков^a, А. Насырбаев^a, А. А. Сивков^a, А. Г. Квашнин^b, А. Я. Пак<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
^b Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия

Аннотация: Покрытие на основе высокоэнтропийного карбида синтезировано в условиях воздействия высокоскоростной плазмы дугового разряда, генерируемой коаксиальным магнитоплазменным ускорителем, на медную подложку. В процессе плазмодинамического синтеза формируется устойчивое высокоэнтропийное соединение TiZrNbHfTaC$_5$ с кубической структурой Fm3m без примесей. Образованное покрытие, характеризующееся достаточно плотной и однородной структурой (пористость $\sim$7%) и толщиной $\sim$20 $\mu$m, демонстрирует повышенные физико-механические характеристики: нанотвердость $\sim$32 GPa и модуль Юнга $\sim$303 GPa, что позволяет рассматривать полученный материал в качестве перспективного для создания упрочненных износостойких и теплозащитных изделий.

Ключевые слова: плазма, дуговой разряд, высокоэнтропийный карбид, покрытие.

Поступила в редакцию: 01.07.2025
Исправленный вариант: 11.09.2025
Принята в печать: 16.09.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.02.62069.20423

Реферативные базы данных:

•