Эта публикация цитируется в 3 статьях

Структурное совершенство кристаллов SiC, выращенных на профилированных затравках методом сублимации

Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами оптической микроскопии в сочетании с химическим травлением исследовано распределение протяженных дефектов в кристаллах, выращенных путем сублимации на профилированных затравках. Показано, что при свободном латеральном разращивании приподнятых элементов рельефа (мез) наблюдается резкое снижение плотности прорастающих дислокаций и микропор. Пониженная плотность дислокаций сохраняется после наращивания толстого слоя, при котором происходит заращивание канавок, разделяющих отдельные мезы.

Поступила в редакцию: 30.03.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:11, 999–1002

Реферативные базы данных:

•