Эта публикация цитируется в 16 статьях

Управление шириной запрещенной зоны оксида графита дозированным восстановлением в водороде

В. М. Микушкин^abc, В. В. Шнитов^abc, С. Ю. Никонов^abc, А. Т. Дидейкин^abc, С. П. Вуль^abc, А. Я. Вуль^abc, Д. А. Саксеев^abc, Д. В. Вялых^abc, О. Ю. Вилков<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Technische Universität Dresden, D-01062 Dresden, Germany
^c Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета

Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхронного излучения исследована трансформация химического состава и электронной структуры нанопленок оксида графита, вызванная их отжигом в атмосфере водорода. Установлено, что химическим составом и шириной запрещенной зоны оксида графита возможно управлять, регулируя температуру отжига. При этом свойства оксида графита можно плавно изменять от диэлектрика до проводника.

Поступила в редакцию: 07.05.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:10, 942–945

Реферативные базы данных:

•