Эта публикация цитируется в 2 статьях

Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре

Д. А. Старостенко^ab, В. В. Шерстнев^ab, П. А. Алексеев^ab, И. А. Андреев^ab, Н. Д. Ильинская^ab, Г. Г. Коновалов^ab, О. Ю. Серебренникова^ab, Ю. П. Яковлев<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Аннотация: Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$/InAsSbP/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP с фоточувствительной площадкой 0.45 $\times$ 0.45 mm$^2$ и граничной длиной волны 4.9 $\mu$m, работающие при комнатной температуре. Отличительной особенностью фотодиодов является расширенный диапазон спектральной чувствительности ($\lambda$ = 1.5–4.8 $\mu$m) с токовой монохроматической чувствительностью 0.5–0.8 A/W и плотностью обратных темновых токов 1.0–1.5 A/cm$^2$ при напряжении обратного смещения 0.2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 20–100 $\Omega$, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (1–2) $\cdot$ 10$^8$ cm $\cdot$ Hz$^{1/2}$ $\cdot$ W$^{-1}$.

Поступила в редакцию: 10.05.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:10, 935–938

Реферативные базы данных:

•