А. М. Иванов, М. Е. Левинштейн, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодах под действием прямого тока”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 19,страницы 45

Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодах под действием прямого тока

А. М. Иванов^a, М. Е. Левинштейн^a, J. W. Palmour^b, A. K. Agarwal^b, М. К. Das^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham NC 27703, USA

Аннотация: Исследованы DLTS-спектры высоковольтных карбид-кремниевых диодов политипа 4H-SiC. Обнаружено, что в результате протекания прямого тока в базе диодов активируется центр с глубиной залегания $E_c$–0.2 eV и сечением захвата электронов $\sigma_n\sim$ 2.0 $\cdot$ 10$^{-15}$ cm$^2$. DLTS-измерения обнаруживают появление этого центра при очень малых значениях протекшего через диод заряда, в условиях, когда прямое падение напряжения на диодах практически не меняется. Обсуждается возможная природа обнаруженного явления.

Поступила в редакцию: 07.05.2011