Эта публикация цитируется в 2 статьях

Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$, приготовленных разными методами

Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, Т. В. Татуревич

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В аморфных слоях As$_2$Se$_3$, приготовленных методами термического испарения и ионно-плазменного высокочастотного распыления, изучены поляризационные процессы в переменном электрическом поле в диапазоне частот $f\sim$ 10$^{-2}$–10$^7$ Hz и в интервале температур 253–343 K. В результате проведенных исследований установлено значительное влияние способа изготовления образцов на диэлектрический отклик изучаемых структур, что связано со специфическими особенностями локализованных состояний.

Поступила в редакцию: 04.02.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:9, 842–844

Реферативные базы данных:

•