Эта публикация цитируется в 1 статье

Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями

Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, А. В. Новиков

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Предложен оригинальный метод управляемого легирования Si сегрегирующими примесями. Подход основан на быстром изменении температуры роста при молекулярно-пучковой эпитаксии структур между режимами кинетически ограниченной сегрегации и максимальной сегрегации примеси. На примере сурьмы продемонстрировано, что с помощью предлагаемого метода возможно получение селективно-легированных слоев кремния толщиной в несколько нанометров, в которых изменение объемной концентрации примеси на порядок достигается на масштабах 2–3 nm.

Поступила в редакцию: 02.05.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:9, 824–826

Реферативные базы данных:

•