Эта публикация цитируется в 3 статьях

Сравнительное исследование генерационных характеристик лазера на кристаллах CdS при накачке низкоэнергетическими и высокоэнергетическими пучками электронов

П. А. Бохан^a, П. П. Гугин^a, Д. Э. Закревский^a, В. И. Соломонов^b, А. В. Спирина<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Проведены эксперименты по возбуждению кристалла CdS радиально сходящим электронным пучком, генерируемым открытым разрядом. Энергия пучка до 18 keV, плотность тока пучка на образце до 4 kA/cm$^2$, длительность импульса на полувысоте $\tau\approx$ 12–100 ns. Для сравнительных исследований использовалась накачка электронами с энергией 170 keV длительностью 2.2 ns. Отличительной особенностью при возбуждении мощными низковольтными и высоковольтными пучками является возникновение ранее не наблюдаемой длинноволновой генерации с пиком в области $\lambda\approx$ 535 nm на полосе электронно-дырочной плазмы. В области межзонного перехода с пиком на $\lambda\approx$ 515 nm спектры генерации подобны известным в литературе.

Поступила в редакцию: 06.04.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:9, 820–823

Реферативные базы данных:

•