Особенности технологического облучения электронами кремниевых $p$–$n$-структур большой площади

И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск

Аннотация: Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области $p^+$–$n$–$n^+$-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления $(t_{rr})$ и потерями энергии в проводящем состоянии $(U_F)$ при снижении чувствительности обратного тока $(I_R)$ диода к температуре. Установлена зависимость соотношения $t_{rr}$, $U_F$ и $I_R$ в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ).

Поступила в редакцию: 14.04.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:9, 801–804

Реферативные базы данных:

•