Эта публикация цитируется в 3 статьях

Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах

В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. М. Рожавская, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах. Показано, что с уменьшением потока аммиака увеличивается ширина кристаллитов, а при самых малых исследованных потоках – уменьшается их высота. В результате в дополнение к обычным для таких объектов граням $\{1\bar101\}$, начинают формироваться грани (0001) и $\{1\bar100\}$. Обнаружены эффекты подавления роста части кристаллитов при начале их срастания и подавления селективного роста вблизи больших немаскированных поверхностей.

Поступила в редакцию: 08.04.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:8, 735–738

Реферативные базы данных:

•