Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, А. А. Попов, К. С. Хорьков, М. Н. Герке, “Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 13,страницы 62

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок

Т. Т. Корчагина^abcd, В. А. Володин^abcd, А. А. Попов^abcd, К. С. Хорьков^abcd, М. Н. Герке^abcd

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
^d Владимирский государственный университет

Аннотация: Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiN$_x$ с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100$^\circ$C с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика.

Поступила в редакцию: 05.03.2011