Эта публикация цитируется в 1 статье

Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа

В. Г. Шенгуров^ab, В. Ю. Чалков^ab, С. А. Денисов^ab, Д. В. Шенгуров^ab, Р. Х. Жукавин^ab, М. Н. Дроздов<sup>ab

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Сообщается о контролируемом легировании эпитаксиальных слоев Si$_{1-x}$Ge$_x$ бором в процессе низкотемпературного ($\sim$500$^\circ$C) выращивания гетероструктур SiGe/Si(100) испарением легированного бором кремниевого источника в среде германа. Источником является легированная бором пластина монокристаллического кремния, нагреваемая до $\sim$1300$^\circ$C пропусканием тока. С использованием данного источника были выращены гетероструктуры с селективно легированными слоями и резким профилем легирования. Максимальная концентрация атомов бора в слоях составляла $\sim$1 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$.

Поступила в редакцию: 31.01.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:7, 601–604

Реферативные базы данных:

•