RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 11, страницы 91–98 (Mi pjtf9188)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Исследования автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкопленочного наноалмазографитового эмиттера

С. Ю. Суздальцев, В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Исследовано влияние параметров конструкции автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из наноалмазографитовых тонкопленочных структур, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления, на его эксплуатационные характеристики. Получены плотности тока автоэмиссии до 20 A/cm$^2$ при рабочем напряжении 300 V. Показано, что при оптимальных параметрах конструкции диода тангенциальная схема токоотбора позволяет уменьшить более чем в два раза порог напряженности электрического поля начала автоэмиссии по сравнению с порогом напряженности при планарной автоэмиссии с этих же наноалмазографитовых структур.

Поступила в редакцию: 13.01.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:6, 534–537

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026