В. Ф. Харламов, Д. А. Коростелёв, И. Г. Богораз, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов, “Электропроводность структуры металл–диэлектрик–металл со слоем наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 11,страницы 43

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электропроводность структуры металл–диэлектрик–металл со слоем наночастиц оксидов металлов в качестве диэлектрика

В. Ф. Харламов, Д. А. Коростелёв, И. Г. Богораз, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов

Орловский государственный технический университет

Аннотация: Исследованы электрические свойства структуры “металл–диэлектрик–металл” с монослоем шарообразных наночастиц Al$_2$O$_3$ или ZrO$_2$ в качестве диэлектрика. На ее примере обнаружен такой механизм электропроводности, при котором дифференциальное сопротивление $dU/dJ$ гетерогенной структуры отрицательное и приближается к нулю (обратимо) при увеличении силы тока $J$. При этом электропроводность структуры сильно зависит от полярности приложенного электрического напряжения $U$, если в качестве ее электродов использованы металлы разной природы или одной природы, но с разным состоянием поверхности. Установлено, что механизм электропроводности структуры зависит от диаметра частиц диэлектрика.

Поступила в редакцию: 07.12.2010